LED INFRAVERMELHO 840nm alta sensibilidade de fotografia 1206 SMD LED infravermelho Package

N ° de Modelo.
LLS1206IR840
Poder
1W
Vida
10000h
Certificação
RoHS, Reach
número do chip
1 peça
Pacote de Transporte
Tape and Reel
Especificação
3.2mmX1.6mm
Marca Registrada
LITEKEY
Origem
China
Código HS
8541401000
Capacidade de Produção
500 000 000PCS/Year
Preço de referência
$ 1.80 - 18.00

Descrição de Produto

Fotografia de alta sensibilidade 1206 package 840nm LED infravermelho
IR LED 840nm High Photo Sensitivity 1206 SMD IR LED Package

Este é um phototransistor em miniatura pacote SMD que é moldado em preto com junta esférica vista superior a lente. O dispositivo é aps equivalenciado ao infravermelho díodo emissor de luz .


· Apresenta
1. Rápido tempo de resposta
2. Alta sensibilidade de fotos
3. Pequeno capacitância de junção
4. O pacote no 8mm fita em 7" de diâmetro o molinete
5. Pb Free
6. O próprio produto permanecerá dentro RoHS versão compatível.

· Aplicação
1. Interruptor de miniatura
2. Contadores e sorter
3. Sensor de Posição
4. Infrared sistema aplicado
5. Encoder

·   Dimensões do pacote
IR LED 840nm High Photo Sensitivity 1206 SMD IR LED Package



·Dispositivo Guia de Seleção

Referência
Chip
Cor da lente
Prima
O LLS1206IR840 Silicon Ficha preta


· Absoluta classificações máximas(Ta = 25ºC)
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão Collector-Emitter Vceo 30 V
Emitter-Collector Sobretensão Veco 5 V
Corrente do Coletor Ic 20 MA
A temperatura de operação Topr -25 ~+85 ºC
Temperatura de armazenamento Tstg -40 ~+100 ºC
Temperatura de soldadura          *1 Tsol 260 ºC
Dissipação de energia em(ou abaixo)
250Livre da Temperatura de Ar
Pd 75 MW
 
Nota : *1: Tempo de soldadura   5 segundos. .


·Equipamentos Elétricos/Características ópticas(Ta = 25ºC)
 
O parâmetro Símbolo Estado Min Typ Max Unidade
Rang de largura de banda espectral Λ0.1
---
730 --- 1100 Nm
Comprimento de onda da Sensibilidade de pico Λp --- --- 840 --- Nm
Repartição Collector-Emitter
A tensão
BVCEO IC =500 μA Ee=0mW/cm 2
30

---

---

V
Repartição Emitter-Collector
A tensão
BVECO IE =50 μA Ee=0mW/cm 2
5

---

---

V
Saturação Collector-Emitter
A tensão
VCE (sat) IC =5mA
Ee=1m W/cm 2

---

---

0.4

V
Collector Corrente Escuro ICEO VCE =20V Ee=0mW/cm 2
---

---

50

América do Norte
No estado actual do Coletor IC (A) VCE =5V
Ee=1mW/cm 2


---


1.0


---


MA
Tempo de elevação Tr VCE =5V
Ci = 1 mA
RL = 1000 Ω
--- 20 ---
ΜS
Tempo de queda
Tf
--- 20 ---

·Electro-Optical típico das curvas características

Fig. 1 Collector dissipação de energia versus a  Temperatura ambiente      Fig. 2 sensibilidade espectral
IR LED 840nm High Photo Sensitivity 1206 SMD IR LED Package



Fig. 3 corrente de colector versus a   irradiância                               Fig. 4 corrente de colector versus   Tensão Collector-Emitter
IR LED 840nm High Photo Sensitivity 1206 SMD IR LED Package



Mais detalhes de produtos, enviar email para obter a especificação.

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700nm → Sensor de dinheiro
730nm → Sensor de dinheiro
750nm → Sensor de segurança
760nm → Sensor Dinheiro, Sensor de sangue
810nm → Sensor de dinheiro
850nm → HAD CCD & CMOS. Ex: Câmara CCTV, Mouse Óptico, visão de noite
875nm → a comunicação de dados(IrDA), scanner, detector de fumo
890nm → Sensor de dinheiro
910nm → Sensor de sangue
940nm →Ex. Controlador remoto, rato, Aterramento
940nm →PD, OPIC, Ex: Sensor de proximidade, detector de fumo



Aplicação do LED infravermelho

IR LED 840nm High Photo Sensitivity 1206 SMD IR LED Package

Comprimento de onda

IR LED 840nm High Photo Sensitivity 1206 SMD IR LED Package


O nosso sistema de controlo de qualidade
Utilizamos novos e técnicas de encapsulamento para  controlar com precisão a verdadeira onda .

IR LED 840nm High Photo Sensitivity 1206 SMD IR LED Package
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